据有关消息报道,英特尔(Intel)和美光(Micron)共同宣布批量生产其共同开发的基于34nm制程,单颗容量为32Gb的多层式(MLC,Multi-level cell) NAND闪存芯片,它是双方合资组成的公司IM Flash Technologies (IMFT)近期的合作成果,远远领先业界其他对手。这种多层式NAND闪存芯片切割自300mm晶圆,测量面积仅为172平方毫米,远低于其他同类产品,它符合标准的48引脚TSOP封装。
英特尔和美光相信这种颗粒的成本效益更高,它将大量运用在一些高密度固态存储的设备,包括数码相机、个人播放器和数码摄像机。此外,该芯片还将使用在固态硬盘,有望降低产品成本。预计到今年年底,这家联合公司的莱希工厂将有超过一半是拥有34nm制程产品的生产能力。他们还计划在2009年开始取样基于34nm制程下的低密度多层及单层式(SLC)闪存芯片。
(第三媒体 2008-12-01)