据有关消息报道，由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司宣布，已经开始使用25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片，并相信足以领先其他竞争对手长达一年之久，IMFT生产的闪存芯片有49％供给Intel客户、51％供给美光客户。IMFT 25nm NAND闪存的量产将从今年第二季度开始，下半年开始批量出货，正好赶上Intel预计年底发布的第三代X25-M固态硬盘，容量有160GB、320GB、600GB等。
率先投产的25nm NAND闪存芯片使用了沉浸式光刻技术(对Intel来说是史上第一次)，内核面积167平方毫米，容量8GB(64Gb)，每单元容量2比特(2-bit-per-cell)。IMFT 25nm NAND闪存支持开放式NAND闪存接口ONFi 2.2，界面速度最高可达200MB/s，页面(page)尺寸从50/34nm时代的4KB翻番到了8KB，块(Block)尺寸从128个页面加倍到256个页面，这些对性能提升都大有好处。
（第三媒体 2010-02-02）
