日前，三星率先全球范围批量投产V-NAND，该NAND闪存采用3D垂直设计，同时三星还新推出了首款基于3D V-NAND闪存的固态硬盘，名为V-NAND SSD，厚度7mm，容量有960GB、480GB，主要面向企业市场，本月初投产，具体发售时间未知。
据介绍，三星V-NAND SSD规格为2.5寸，其中960GB容量版性能最好，采用64颗MLC 3D V-NAND闪存内核，每一颗容量128Gb(16GB)，配备SATA 6Gbps接口，据称持续和随机写入速度提升超过20％、功耗降低超过40％，编程/擦写循环次数高达3.5万。
三星3D V-NAND内部采用三星独有的垂直单元结构，通过3D CTF电荷捕型获闪存技术、垂直互连工艺技术来连接3D单元阵列，可将最多24个单元层堆叠在一起，极大提高存储密度的同时，还改进了可靠性和耐用性问题。
(第三媒体 2013－08－15)
