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安森美半导体: 提供完整的硅锗电流模式逻辑解决方案(图)

上传:panh     来源:信息存储服务     日期:2005-03-09

[摘要]  
   2005年3月9日——安森美半导体(ON Semiconductor, 美国纳斯达克上市代号:ONNN)将其在高速时钟和数据管理中数以十年的专门技术应用于网络和电信市场,推出NB7L11M、NB7L14M、NB7L86M、NBSG16M以及NB7N017M——基于硅锗(SiGe)的高带宽、完全差分时钟分配、时钟驱动、时钟复用和时钟预调的集成电路,支持电流模式逻辑(CML)输出。
 
[正文]    

安森美半导体: 提供完整的硅锗电流模式逻辑解决方案(图)

   增强型GigaComm(tm)器件提供每秒12吉比特以上的数据速率,

   是OC-192网络和电信中高性能应用的理想选择 

   2005年3月9日——安森美半导体(ON Semiconductor, 美国纳斯达克上市代号:ONNN)将其在高速时钟和数据管理中数以十年的专门技术应用于网络和电信市场,推出NB7L11M、NB7L14M、NB7L86M、NBSG16M以及NB7N017M——基于硅锗(SiGe)的高带宽、完全差分时钟分配、时钟驱动、时钟复用和时钟预调的集成电路,支持电流模式逻辑(CML)输出。这些器件是GigaComm(tm)高性能时钟和数据管理集成电路系列的最新成员,专为电信、网络、高端计算和自动化测试设备行业而设计。

   特性及优势

   安森美半导体高频产品部市场及业务开发总监Mike Radhanauth说:“当设计人员从简单的CMOS解决方案转移到双极性集成电路控制的性能范围,电流模式逻辑是最方便的高速接口协定之一,而且正迅速成为新兴高带宽网络应用的首选协定。”

   全新GigaComm(tm)器件使用片上50欧姆输入和输出端接,简化了初始条件和连接端接,允许双极性设计中不常见,但是CMOS解决方案预期的点对点实现。类似低摆幅ECL(RSECL),400毫伏(mV)CML的信号摆动减少了上升/下降时间中的功耗。之后高频信号中常见的电路中信号反射导致的异常,被片上端接降至最低。

   这些器件在某些情况下能够提供每秒12吉比特(Gbps)以上的数据速率,是OC-192应用中高性能应用的理想选择。高速背板接口的传播延迟小于150皮秒(ps),且上升和下降时间少于53ps。NBSG16M的性能结合CML内在的设计灵活性,为网络应用中的数据传输提供了最优化解决方案。

   新GigaComm(tm)器件

   - NB7L11M为12Gbps、8GHz、2.5V或3.3V SiGe差分时钟驱动器,将输入时钟信号再生为两个同样的CML输出信号。采用16引脚QFN封装,每1,000件的批量单价为25.20美元。

   - NB7L14M为带1:4扇出和CML输出的12Gbps、8GHz、2.5V或3.3V SiGe差分时钟驱动器。采用16引脚QFN封装,每1,000件的批量单价为30.24美元。 

   - NBSG16M为带CML输出的10Gbps、10GHz、2.5V或3.3V SiGe差分接收器/驱动器。采用16引脚QFN封装,每1,000件的批量单价为20.59美元。

   - NB7L86M为带CML输出的12Gbps、8GHz、2.5V或3.3V SiGe差分智能门极。它提供可编程的灵活性,可选择AND/NAND、OR/NOR、XOR/XNOR或2:1复用功能。它为高性能应用超高速提供所有主要逻辑功能。采用16引脚QFN封装,每1,000件的批量单价为13.95美元。

   - NB7N017M 为带CML输出的3.3V双8位模数除法器/预定标器,能以3.5GHz以上的速度切换。采用52引脚QFN封装,每1,000件的批量单价为23.26美元。

   与GigaComm(tm)系列的所有成员一样,这些器件采用安森美半导体的AnyLevel(tm)技术,包括50欧姆(Ω)输入端接电阻,且接受所有主要的信号标准——尤其是负的ECL(LVNECL)、PECL、LVCMOS/LVTTL、CML或LVDS。

   安森美半导体现提供所有GigaComm器件的评估和演示板。所有器件亦可提供晶圆形式,为设计人员提供更大灵活性。(新闻稿 博达公关提供 2005-03-09)


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